Standard

IEC 63011-3:2018 ED1

nov 2018 Publisert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk Engelsk Engelsk/French

Tjenester Lese online (Ingen utskrift) kr 1 224,00

There are no extended editions available for this standard

Det er ingen tilgjengelige rettelser og tillegg for denne standarden. Eventuelle rettelser og tillegg vil bli lagt til automatisk for abonnenter.

Omfang

IEC 63011-3:2018 specifies a reference model of through-silicon via (TSV) electrical characteristics required for an interface design in three dimensional integrated circuit (3-D IC) to transmit and receive digital data and measurement conditions for resistance and capacitance to specify TSV characteristics in 3-D IC. Power devices, RF devices and micro-electromechanical systems (MEMS) are not in the scope of this document.

Dokumentinformasjon

Standard fra IEC
Publisert: 28. november 2018
Utgave: 1
Versjon: 1
Varetype: IS
ISBN:

ICS 31.200
ISO TC TC 47/SC 47A

Produktrelasjon

Frankfurt agreement: FprEN IEC 63011-3:2018

IEC 63011-3:2018 ED1

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Extended editions Extended editions (0)

Version history Rettelser og tillegg (0)

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon